测试晶圆 · 微纳加工 · 检测配套面向企业、高校与科研机构
Project Cases

项目案例

以下示例展示测试晶圆项目中的结构设计、工艺规划与检测思路。

CASE 01

12 英寸纳米 L/S 图形实测

对 300 mm 晶圆上的纳米线条与间隔图形进行 CD 检测,为样品尺寸评价提供依据。对 65 nm、70 nm 和 75 nm 三组名义间隔,分别测量晶圆上 9 个位置,并配套俯视和截面 SEM 观察。

名义间隔实测平均值最小值最大值9 点极差
65 nm64.66 nm63.28 nm67.33 nm4.05 nm
70 nm71.48 nm70.72 nm73.07 nm2.35 nm
75 nm76.68 nm75.48 nm78.70 nm3.22 nm

上述数据为间隔宽度测量结果,对应该样品及牺牲膜去除前的检测阶段。

CASE 02

12 英寸氧化硅 L/S 图形方案

在硅晶圆上设计氧化硅线条与间隔结构,满足纳米间隔测试需求。

300 mmSiO₂ 100 nm目标间隔约 70 nmSEM 俯视 / 截面

加工流程:成膜、涂胶、曝光、干法刻蚀、去胶。结合既有掩膜中的尺寸组合选择适合实验用途的图形区域。

CASE 03

12 英寸硅基孔阵列方案

在 300 mm 硅晶圆上设计周期性盲孔阵列,形成分区重复的测试结构。

孔径 500 nm中心间距 880 nm孔深 5 μm深宽比 10:1单元 21×21 mm

围绕孔形、深度、分布及检测位置开展加工评估,成品结果以检测为准。

How We Work

案例不是模板,而是起点

同类项目会根据材料、晶圆尺寸、目标结构、掩膜条件、检测位置与交期重新评估,形成项目专属规格。

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